جزوه کامل مدار مجتمع خطی CMOS - کارشناسی ارشد - استاد خانم دکتر بابایی

فهرست مطالب

مقدمه ای در مورد ترانزیستور ماسفت
بررسی ساختار ترانزیستور ماسفت
اعمال ولتاژ به گیت
نحوه عملکرد ترانزیستور MOSFET
معادله جریان ولتاژ ترانزیستور MOSFET
خازن های ترانزیستور MOS
آثار کاهش ابعاد ترانزیستور
پدیده اتصال دو ناحیه تهی Punch-through
پدیده کاهش ولتاژ آستانه به صورت القایی توسط درین
اشباع شدن سرعت حامل ها و تأثیر آن بر معادله جریان
هدایت در زیر آستانه
محاسبه تمامی مقادیر ترانزیستور MOS
سورس مشترک
تقویت کننده با بار دیودی
تقویت کننده با بار فعال
ساختار سورس مشترک با مقاومت RS در گیت
محاسبه ROUT
درین مشترک
گیت مشترک
محاسبه بهره ولتاژ و مقادیر مختلف مداری در حالت های مختلف
آرایش کاسکودی
منابع جریان
آینه جریان
آینه جریان کاسکودی
تقویت کننده تفاضلی
تحلیل مد تفاضلی
زوج تفاضلی با MOS
زوج تفاضلی با منبع جریان
تحلیل مد تفاضلی و مد مشترک
فیدبک

خلاصه، نکات کلیدی، راهنمای حل بخش های مشکل و حل تمرینات حل نشده به پیوست در انتهای جزوه اضافه شده اند.

حل المسائل طراحی مدار های مجتمع آنالوگ CMOS دکتر بهزاد رضوی

 بی شک همه ی دانشجویان رشته برق با پروفسور بهزاد رضوی آشنا هستند. کتاب طراحی مدارهای مجتمع CMOS آنالوگ از جمله برترین کتاب های ایشان می باشد. این کتاب بهترین مرجع برای درس مدارهای مجتمع کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک می باشد و دانلود این کتاب را به همه ی دانشجویان عزیز پیشنهاد می کنیم. اینک در این پست حل تمرین کتاب طراحی مدارهای مجتمع CMOS آنالوگ دکتر رضوی برای شما دانشجویان عزیز آماده دانلود می باشد. سر فصل های این کتاب به شرح زیر است : ۱- مقدمه ای بر طراحی انالوگ ۲- فیزیک افزاره MOS ۳- تقویت کننده های یک طبقه ۴- تقویت کننده های تفاضلی ۵- آینه های جریان فعال و غیر فعال ۶- پاسخ فرکانسی تقویت کننده ها ۷- نویز ۸- فیدبک ۹- تقویت کننده های عملیاتی ۱۰- پایداری و جبران سازی فرکانسی ۱۱- مراجع Bandgap ۱۲- معرفی مدارهای سوئیچ خازنی ۱۳- غیر خطینگی و ناهمسانی ۱۴- اسیلاتورها ۱۵- حلقه های قفل شده در فاز PLL ۱۶- اثرات کانال کوتاه و مدل افزاره ۱۷- CMOS Processing Technology ۱۸- Layout and Packaging  

Design and Modeling of Millimeter-Wave CMOS Circuits for Wireless Transceivers

طراحی و مدلسازی مدارهای CMOS موج میلی متری برای فرستنده گیرنده های بی سیم مبتنی بر تکنولوژی های زیر 100 نانومترDesign and Modeling of Millimeter-Wave CMOS Circuits
for Wireless Transceivers

برق 118. ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید

ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید
چکیده__ چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبور PMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارایه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده ی تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها 1.75×1.32 mm2 می باشد.