فایل پاورپوینت ارائه کلاسی IGBT )Insulated gate bipolar transistor)

ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق‌شده یا IGBT (کوتاه شده عبارت انگلیسی Insulated gate bipolar transistor) جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده میشود. این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده هااستفاده میشود. همچنین در ساخت انواع اینورترها،ترانسهای جوش و UPS کاربرد دارد.
در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی‌کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند.به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود. اما با بالا رفتن قدرت،تلفات آن نیز زیاد میشود.المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.این قطعه جدید IGBT نام دارد.در طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب 2 نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را میبینید و از نظر خروجی یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.
فهرست مطالب:
مقدمهاساس IGBTمزایا و معایب IGBTمقایسه IGBT با MOSFET و BJTشباهت های IGBT با سایر افزاره هاTrade-offساختار IGBTPT و NPTمقایسه PT و NPTعملکرد IGBTمشخصه خروجیمشخصه انتقالینرم افزارهای شبیه سازی ادواتتوضیحاتی در خصوص Silvacoمقالات مطالعه شدهمنابع
همچنین کلیه فایل های مربوط به پروژه اعم از فایل اصلی پاورپوینت، رفرنس ها و مقالات و فایل اجرایی برنامه سیلواکو در پروژه قرار گرفته است.

جزوه کامل مدار مجتمع خطی CMOS - کارشناسی ارشد - استاد خانم دکتر بابایی

فهرست مطالب

مقدمه ای در مورد ترانزیستور ماسفت
بررسی ساختار ترانزیستور ماسفت
اعمال ولتاژ به گیت
نحوه عملکرد ترانزیستور MOSFET
معادله جریان ولتاژ ترانزیستور MOSFET
خازن های ترانزیستور MOS
آثار کاهش ابعاد ترانزیستور
پدیده اتصال دو ناحیه تهی Punch-through
پدیده کاهش ولتاژ آستانه به صورت القایی توسط درین
اشباع شدن سرعت حامل ها و تأثیر آن بر معادله جریان
هدایت در زیر آستانه
محاسبه تمامی مقادیر ترانزیستور MOS
سورس مشترک
تقویت کننده با بار دیودی
تقویت کننده با بار فعال
ساختار سورس مشترک با مقاومت RS در گیت
محاسبه ROUT
درین مشترک
گیت مشترک
محاسبه بهره ولتاژ و مقادیر مختلف مداری در حالت های مختلف
آرایش کاسکودی
منابع جریان
آینه جریان
آینه جریان کاسکودی
تقویت کننده تفاضلی
تحلیل مد تفاضلی
زوج تفاضلی با MOS
زوج تفاضلی با منبع جریان
تحلیل مد تفاضلی و مد مشترک
فیدبک

خلاصه، نکات کلیدی، راهنمای حل بخش های مشکل و حل تمرینات حل نشده به پیوست در انتهای جزوه اضافه شده اند.