داکز دی ال
دانلود مقالات و جزوات آموزشی - دانشگاهیداکز دی ال
دانلود مقالات و جزوات آموزشی - دانشگاهیبرق 113. LECTOR: روشی برای کاهش نشتی در مدارات CMOS
LECTOR: روشی برای کاهش نشتی در مدارات CMOS
چکیده___در مدارات سیموس،کاهش ولتاژ آستانه به دلیل مقیاس بندی ولتاژ،منتهی به جریان نشتی زیرآستانه و در نتیجه تلفات توان ایستا (استاتیک) می شود. در اینجا ما روشی تازه به نام LECTOR برای طراحی گیت های سیموس که به طور قابل توجهی جریان نشتی را بدون افزایش تلفات توان پویا (دینامیک) کاهش می دهد، ارایه می کنیم. در روش پیشنهاد شده ما،دو ترنزیستور کنترل نشتی (یکی نوع n و دیگری نوع p) در درون دروازه های منطقی که ترمینال گیت هر ترانزیستور کنترل نشتی (LCT) توسط منبع گیت دیگر کنترل می شود را معرفی می کنیم. در این آرایش،یکی از LCTها (منظور ترانزیستورهای کنترل نشتی) همیشه به ازای هر ترکیب ورودی،نزدیک به ولتاژ قطع می باشد. این مقاومت مسیر Vdd به گراند را کاهش داده،که این منجر به کاهش چشمگیر جریان نشتی می شود. نت لیست سطح-گیت مدار داده شده،نخست به یک پیاده سازی گیت پیچیده ی CMOS استاتیک تبدیل شده،و سپس LCTها به منظور دستیابی به یک مدار کنترل نشتی معرفی می شوند. ویژگی قابل توجه LECTOR این است که در هر دو حالت فعال و غیرفعال مدار،فعال می باشد که این منجر به کاهش نشتی بهتری نسبت به روش های دیگر می شود. همچنین،روش ارایه شده، دارای محدودیت های کمتری نسبت به دیگر روش های موجود برای کاهش نشتی دارد. نتایج تجربی نشان دهنده ی یک کاهش نشتی متوسط 79.4 درصدی را برای مدارات محک(بنچ مارک) MCNC’91 نشان می دهند.
CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation
یکی از جامع ترین کتاب ها در زمینه طراحی و شبیه سازی و لایوت مدارهای CMOS
برق 119. مبدل DC-DC بوست - بوست یا باک - بوست تک سلفه مجتمع با کنترل توان - توزیعی
مبدل DC-DC بوست - بوست یا باک - بوست تک سلفه مجتمع با کنترل توان - توزیعی
چکیده: این مقاله یک مبدل DC-DC بوست - بوست یا باک - بوست خروجی دوگانه تک سلفه ( SIDO) کاملاً مجتمع با کنترل توان – توزیعی را ارائه می دهد. این کانورتر تحت کنترل مد ولتاژ برای داشتن امنیت بهتر در مقابل نویز کار می کند و از سوئیچهای قدرت/اجزای جبرانسازی خارجی کمتری برای کاهش هزینه استفاده می کند و بنابراین برای کاربردهای سیستم های با تراشه (SoC) مناسب است. کانورتر SIDO پیشنهادی در تکنولوژی TSMC .35 µm 2P4M CMOS با ولتاژ منبع ورودی 2.7-3.3 ولت ساخته شده است. خروجی اول VO1 می تواند در هر یک از مدهای باک یا بوست عمل کند (ولتاژ خروجی بین 2.5 تا 5ولت)، در حالیکه خروجی دوم VO2 می تواند فقط در مد بوست عمل کند (ولتاژ خروجی 3.6 ولت).
برق 96. تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده
تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده
چکیده__در این مقاله، ما یک اینورتر CMOS غیر-معمولی ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال (JL) و یک ترانزیستور را با فرآیند ساده و چگالی بالای مدار مجتمع، ارایه می دهیم. در اینورتر CMOS غیر-معمولی، به ترتیب، NMOSFET JL به عنوان تحریک و ترانزیستور به عنوان یک بار، عمل می کند. ما بنابر اطلاعات اندازه گیری شده ی ترانزیستور ، خط بار اینورتر CMOS را ترسیم کرده و دریافتیم که ترانزیستور می تواند در مدارات CMOS به منظور بهبود مسایل مربوط به CMOS های مرسوم امروزی، استفاده شود. به علاوه، کاهش سطح 46.1% نیز دست اور دیگر ما است.
برق 85. تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF
تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF
چکیده__ این مقاله یک تقویت کننده ی شبه-تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF، با استفاده از مدار ساده rail-to-rail CMFB را ارایه می دهد. مدار ارایه شده، دارای دو اینورتر CMOS و فیدبک حالت-مشترک مکمل (CMFB) _که خود متشکل از آشکارساز حالت-مشترک حالت جریان و تقویت کننده های ترنز-امپدانسی (transimpedance)، بوده_ می باشد. این مدار با استفاده از فناوری CMOS 0.18 نانومتری تحت ولتاژ منبع 1 ولت، طراحی شده است، و نتایج شبیه سازی نشان می دهند که نوسان خروجی rail to rail با استفاده از گین حالت-مشترک پایین (-15 dB)، بدست می آید. نوسان خروجی مدار 0.7 v می باشد. تلفات توان مدار 0.96 میکرووات می باشد.