برق 116. الگوریتم تخمین فازور دینامیکی اصلاح شده برای سیگنال های گذرای ژنراتورهای توزیع شده

الگوریتم تخمین فازور دینامیکی اصلاح شده برای سیگنال های گذرای ژنراتورهای توزیع شده
    چکیده__ در این مقاله، یک روش تخمین (پیشبینی) فازور دینامیک اصلاح شده برای رله های حفاظتی ارایه شده است، تا فازور دینامیکی مولفه اصلی فرکانس را با دامنه متغیر-با-زمان، محاسبه کند. فرض شده است که جریان خطا، ترکیبی از آفست میرا شونده dc، یک فرکانس مولفه اصلی میرا شونده، و هارمونیک های با دامنه های ثابت است. توابع نمایی آفست dc در حال محو و مولفه اصلی فرکانس، با سری های تیلور جایگزین شده اند. سپس، از روش LC (کوچکترین مربع یا مجذور) برای تخمین دامنه ها و ثابت های زمانی مولفه های میرا شونده، استفاده شده است. عملکرد این الگوریتم، با بکاربری از سیگنال هایی که بر مبنای معادلات ساده و سیگنال های خطای بدست آمده از مدل مزرعه بادی DFIG در MATLAB Simulink شبیه سازی شده اند، ارزیابی شدند. نتایج نشان می دهند که الگوریتم ارایه شده ما می تواند تخمینی دقیق از دامنه میراشونده و ثابت زمانی مولفه اصلی فرکانس، ارایه دهد.
اصطلاحات مربوط__ ژنراتورهای توزیع شده، فازور دینامیک اصلاح شده، تخمین فازور، جریان خطای متغیر با زمان.

برق 117. مدل معادله سرعت اصلاح شده شامل رزونانس فوتون-فوتون

مدل معادله سرعت اصلاح شده شامل رزونانس فوتون-فوتون
چکیده   ما نشان می دهیم زمانی که فکتور سلول طولی در یک لیزر لبه ساطع کننده به عنوان یک متغیر پویا (دینامیک) در نظر گرفته می شود، تابع انتقال مدولاسیون دارای یک جمله اضافی می باشد. این جمله یک پیک رزونانس فوتون-فوتون مکمل در پاسخ مدولاسیون تولید می کند که فرکانس آن برابر با فاصله ی فرکانس های میان حالت های طولی _زمانی که این حالت ها با فاز قفل شده به اندازه کافی طویل باشند (تقریبا-فاز-قفل-شده)_ است. پیک رزونانس فوتون-فوتون زمانی دارای بیشترین قدرت است که دو حالت طولی غالب با فاز تقریبا قفل شده ی متوالی دارای محفظه های طولی مشابه بوده و تعداد فوتون ها را بطور یکسان بخش کنند.
کلیدواژه ها   حالت های طولی . پاسخ مدولاسیون . تابع تبدیل مدولاسیون . رزونانس فوتون-فوتون . معادله سرعت.

برق 137. هموارسازی توان خروجی PVبا استفاده ازسیستم خازن

هموارسازی توان خروجی PVبا استفاده ازسیستم خازن
چکیده:سیستمهای فتوولتائیک به عنوان یکی ازمنابع عمده انرژی الکتریکی درنظرگرفته شده برای دهه بعد هستند هزینه سلولهایPVدرحال کاهش است بیشتروبیشترواین کمک خواهدکرد به افزایش نفوذآن درسیستم های قدرت یکی ازمسائل اصلی سیستم هایPV وابستگی آنها به درخشندگی نورخورشید و دمای سلول می باشد. همانطوریکه در طول روز هردواین  عوامل درحالت تغییرهستند،توان خروجی سلولهای   PVنوسانات قابل توجهی داردکه درسیستمهای قدرت بانفوذ زیادPV ها ( سیستم هایی که درآن ازPV زیاداستفاده شده است)این نوسانات قابل قبول نخواهد بود. به منظورحل این مشکل،این مقاله پیشنهاد یک سیستم برای صاف کردن توان خروجی PVبا استفاده ازسیستم انرژی خازن است. .یک مطالعه موردی برای بررسی عملکردپیکربندی پیشنهادی شبیه سازی شده است و نتایج نشان میدهدکه درآن بطورقابل توجهی توان خروجی سیستم PVصاف شده است .راهنمای دوره سلولهای فتوولتائیک سیستمMPPT   سیستم انرژی خازن صاف کردن قدرت خروجی :

برق 139. یک چارچوب محاسبه ای برای بهینه سازی عدم قطعیت کمی و اتفاقی در بکارگیری واحد با تولید توان بادی

یک چارچوب محاسبه ای برای بهینه سازی عدم قطعیت کمی و اتفاقی در بکارگیری واحد با تولید توان بادی
چکیده: ما، یک چارچوب محاسبه ای برای یکپارچه و ادغام کردن یک مدل عددی جدید پیش بینی آب و هوا (NWP) در فرمول های توزیع تعهد/اقتصادی که برای عدم قطعیت توان بادی استفاده می شود را ارائه می کنیم. در ابتدا مدل NWP را با یک استراتژی کمی عدم قطعیت مبتنی بر جمع که در یک معماری محاسبه ای حافظه توزیع شده موازی پیاده سازی شده را توسعه می دهیم. در مورد مباحث محاسبه ای ناشی از پیاده سازی چارچوب بحث می کنیم و صحت مدل را با استفاده از اطلاعات سرعت واقعی باد بدست آمده از یک مجموعه ایستگاههای هواشناسی تایید می کنیم. یک سیستم قدرت شبیه سازی شده را برای نمایش و اثبات توسعه ها ایجاد می کنیم. شاخص های کلیدی: حلقه بسته ، توزیع اقتصادی، التزام و بکارگیری واحد، پیش بینی آب و هوا، باد .

برق 102. تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

تکنولوژی CMOS-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و نابسته به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد
چکیده__ در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه ی سیلیکون-بر-عایق (SOI)، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.