فهرست موضوعی:
چکیده .......................................................................................................................................................................................................... 3
فصل اول: الکترونیک مولکولی ................................................................................................................................................................ 5
برنامه های کاربردی از لایه نازک الکترونیک مولکولی .............................................................................................................. 7
فصل دوم: الکترونیک تک مولکولی ....................................................................................................................................................... 8
بخش اول: مفهوم الکترونیک تک مولکولی ................................................................................................................................... 9
1. انتقال الکترون ها از طریق تک مولکول عوامل موثر در مقاومت بتن ...................................................................... 11
محاصره کولن ........................................................................................................................................................................ 123. ترازهای فرمی از الکترودها و مرز اوربیتال مولکولی ...................................................................................................... 13
بخش دوم: تکنیکهای اندازه گیری رسانایی الکترون منفرد ................................................................................................... 15
روش اسکن پروب ( کاوشگر ) ............................................................................................................................................. 15
بخش سوم: شکست محل اتصال مکانیکی کنترل شده ......................................................................................................... 17
بخش چهارم: دیگر اتصالات تک مولکول ................................................................................................................................... 18
فصل سوم:تک مولکول ........................................................................................................................................................................... 19
سیم های مولکولی ............................................................................................................................................................... 212. ترانزیستور .............................................................................................................................................................................. 22
رکتیفایر .................................................................................................................................................................................. 244. سوئیچ های مولکولی ............................................................................................................................................................ 25
گیت های منطقی مولکول ................................................................................................................................................ 26
نتیجه گیری ............................................................................................................................................................................................. 27
چکیده:
علم الکترونیک دارای دو جهش بسیار بزرگ در تاریخ کوچک اما بسیار پر تلاطم خود است.
۱. ساخت ترانزیستور
۲. ساخت اولین مدار مجتمع شامل یک خازن و مقاومت و ترانزیستور
الکترونیک مولکولی یک رویکرد جدید است که به مواد اولیه و اصول عملکرد جدید نیاز دارد و میتوان گفت انگیزهای برای شناخت و استفاده از آنچه در مولکولهای مواد اتفاق میافتد است. در مقیاسهای کوچک تر از نانو، ایده استفاده از یک یا چند مولکول بهعنوان یک سوئیچ بهنظر بسیار جالبتر از بررسی بنبستهای ماسفتی میباشد. این کار علاوه بر کوچک شدن ابعاد سرعت را بسیار زیاد کرده است همچنین ارزانتر است و بالطبع آن روشها و پیچیدگیها بسیار دشوار میشود. (الکترونیک مولکولی هنوز در حال تحقیق در مورد روشهای ساخت میباشد. که بهنظر میرسد به زودی بر آن غلبه و به سمت ساخت مدار مجتمع با این تکنولوژی برود)
همان طور که میدانیم روش لیتوگرافی نوری برای ساخت مدارات الکترونیکی مجتمع با چالشهای اساسی و جدی روبرو شده است. محدودیتهای فناوری از یک سو و چالشهای کوانتومی از سوی دیگر توسعهی نانوالکترونیک را با دشواری روبرو کرده است . در این میان دانشمندان به ایدهها و روشهای جایگزین و جدیدی میاندیشند که محدودیتهای روش لیتوگرافی نوری را ندارد. یکی از این روشها، ساخت و استفاده از مولکولهایی است که رفتاری مشابه رفتار کلید زدن ترانزیستورها داشته باشند. در واقع دانشمندان قصد دارند با طراحی، ساخت و استفاده از این مولکلولها، آنها را جایگزین ترانزیستورهای سیلیکونی کنند. این ایده را الکترونیک مولکولی میگوییم. این رفتار میتواند مبنایی برای پردازش اطلاعات در رایانهها و ذخیرهی اطلاعات در حافظهها قرار گیرد .
مولکولهایی که در الکترونیک مولکولی مورد استفاده قرار میگیرند بایستی شرایطی داشته باشند. این مولکولها باید دارای دو شکل متفاوت باشند که توسط یک محرک خارجی نظیر نور یا ولتاژ تغییر شکل دهد. این تغییر شکل باید برگشتپذیر هم باشد. در واقع مولکول در یک حالت به عنوان صفر (zero) و در یک حالت به عنوان یک (one) رفتار میکند. رفتار برگشتپذیری مولکول هم باید بسیار سریع باشد به گونهای که بتواند در مدارات الکترونیکی مجتمع، مفید واقع شود. همچنین پایداری و مخصوصا پایداریِ گرمایی نیز عامل مهمی است. یعنی این مولکولها در برابر تغییرات دمایی نباید از شکلی به شکل دیگر تغییر شکل دهند. چرا که در مدارات مجتمع محدودهی تغییرات دمایی بسیار زیاد است و در صورت تغییر شکل مولکولها، اطلاعات آنها از دست میرود.
مثلا مولکول آزوبنزن ، در ابتدا نمونهای مناسب به نظر میرسد. مولکول آزوبنزن دارای دو ایزومر سیس و ترانس است که هر کدام دارای دو طول متفاوت است. با تابیدن نور فرابنفش با طول موج 313 نانومتر، ایزومر ترانس به ایزومر سیس تغییر شکل میدهد و با تابیدن نور فرابنفش با طول موج بیشتر از 380 نانومتر، ایزومر سیس به ایزومر ترانس تغییر شکل میدهد. بنابراین در مدار الکتریکی یکی از ایزومرها میتواند به عنوان صفر و دیگری به عنوان یک رفتار کند. لیکن مشکل آزوبنزن عدم پایداری گرمایی آن است. در واقع ایزومر سیس آزوبنزن از نظر گرمایی پایدار نیست و اندک گرمایشی موجب تغییر شکل آن به ایزومر ترانس میشود.
البته این رفتار در مولکول مذکور در دمای 60 کلوین مشاهده میشود، یعنی تقریبا 213- درجهی سلسیوس و در دمای اتاق ظاهر نمیشود. همان طور که مشاهده میکنید این دما بسیار پایین و دسترسی به آن دشوار است. لذا استفاده از آن در شرایط دمای معمولی مستلزم توسعهی بیشتر این دانش است. همچنین لازم به یادآوری است که نشان دادن این که یک مولکول میتواند جریان الکتریکی را هدایت کند و رسانایی و عدم رسانایی آن قابل کنترل است، برای توسعهی دانش الکترونیک کفایت نمیکند. آن چه اکنون در اختیار داریم یک کلید مولکولی بسیار کوچک و در ابعاد چند نانومتر است که جریان الکتریکی عبوری از آن با استفاده از یک ولتاژ قابل کنترل است. مزیت اصلی آن نسبت به ترانزیستورهای سیلیکونی ابعاد کوچکترِ آن است. لیکن توسعهی رایانهها و استفاده از الکترونیک مولکولی در صنایع الکترونیک و رایانه مستلزم اتصال این مولکولها به یکدیگر و ساخت گِیتهای منطقی است همچنین روشهای ساخت و تولید آن در مقیاس انبوه نیز چالشی است که باید قبل از توسعهی الکترونیک مولکولی حل شود .
مقدمه:
کاروزی چیست؟
اصل کلمه کارورزی به واژه کارورز بر می گردد و به فردی گفته می شود که در حین تحصیل در آموزش عالی و یا بلافاصله بعد از پایان دوران تحصیل وتنها با هدف کسب تجربه ومهارت کاری و عملی درموسسه ای مشغول بکار می شود.دوره کارورزی امکان وفرصتی برای آشنایی دانشجویان با محیط کار محسوب می شود که نه تنها باعث افزایش قابلیت های آنان برای اشتغال در آینده می شود بلکه به کارورزان قدرت انتخاب بیشتری در انجام وظایف ارایه شده می دهد تا بتوانند بهتر به علاقمندی ها وگرایشهای خود در زمینه های مختلف پی برده ونقاط ضعف و قوت کار خود را ارزیابی کنند.
محل کارورزی یا کارآموزی برای کارورز یا داوطلب ،محلی است که مدیریت آن از دانش فنی و به روز برخوردار بوده وبه مهارت یا مهارت های لازم مسلط باشد. در این مکان امکانات آموزشی (تئوریک)و عملی در حد نصاب آموزشی بالاتر است تا مانعی برای یادگیری ایجاد نگردد.
کارورزی ابزاری برای تبدیل تئوری به عمل و همچنین تلاشی برای ایجاد پیوند هایی بین محیط عملی ومراکز آموزشی است.کارورزی ممکن است به کارورزمهارتهایی را بیاموزد که ممکن است دارایی آنها نباشد. این روش به کارورزان فرصت می دهد تا میزان علاقه خود را قبل از آنکه برای چند سال متعهد به انجام آن شوند،بسنجند و یا اینکه بدانند برای وارد شدن به یک زمینه شغلی به چه مهارتها با ملزومات آموزشی نیاز دارند.
کارورزی یا کارآموزی یکی از ابزارهای مهم تربیت نیروی انسانی در حوزه تحصیلات عالی است. دانشگاه علاوه بر آموزش باید در پژوهش و خدمت رسانی به صنایع نقش مهمی را ایفا کند. متأسفانه وضعیت دانشگاهه درایران به گونه ای است که بیشتر به انتقال دانش های تئوری می پردازد،بدون اینکه زمینه جذب دانش انتقال یافته فراهم شده باشد. کارورزی می توانند ابزار بسیار مهمی در راستای ایجاد چنین زمینهای باشد اما به دلایل مختلفی به تدریج در فرهنگ دانشگاههای ایران رو به اضمحلال است.
1
من دانشجوی رشته مدیریت صنعتی دوره کارآموزی را یک فرصت استثنایی برای آشنایی با محیط کار و ارزیابی نقاط قوت و ضعف خود برای ورود به عرصه کار در آینده دانستم. محل کارورزی در اداره مخابرات شهرستان میناب به مدت 96ساعت و3واحد درسی است گذراندم.
دلایل انتخاب محل کارورزی خود در شرکت مخابرات به دلیل توسعه روز افزون ارتباطات در سطح جهانی است و شرکت مخابرات به دلیل نقش مهم و استراتژیک که در این زمینه دارد یکی از دلایل من برای انتخاب محل کارورزی بوده است.
امروزه با توجه به نقش انکارناپذیرو حساس ارتباطات در توسعه ملی جوامع و الزاما برنامه ریزی ها وسرمایه گذاری های کلان وقابل ملاحظه دراین بخش وظیفه ی متولیان مخابرات کشور،جنبه حیاتی و ملی به خود گرفته است. اهمیت اطلاعات و ایجاد حرکت جهانی برای رسیدن به اطلاعات و گذر از شکاف دیجیتالی،کشورهای جهان سومی را برآن داشته تا تلاش خود را در سطح ملی برای همگانی شدن اطلاعات توسعه دهند.
حوزه ی IT ،حوزه ی بسیار گسترده ای است که مقوله های فنی و مهندسی مخابرات ،رایانه،شبکه های اطلاع رسانی ،اینترنت ،شهرها و پارکهای اینترنتی و تمامی شوون ارتباطی مخابراتی و اطلاعاتی را در برمی گیرد.
2
تقدیر وتشکر
واحد کارآموزی در دانشگاه از واحدهای مهم و عملی است که باید توسط دانشجویان در آخرین ترم تحصیلی گذرانده شود. مهم بودن این واحد از آنجا مشخص می شود که دانشجو برای اولین بار معلومات و محفوضات تئوری خود را به صورت عملی به کار میگیرد.
از آنجا که دانشجو در به کارگیری درس های نظری در عمل با مشکلات فراوانی مواجه است به همین منظور دانشگاه سه واحد کارآموزی را برای دانشجویان در نظر گرفته تا معلومات خود را در یک سازمان رسمی به طور عملی به کار گیرند و از این بکار گیری معلومات ،بتوانند زمانی که جذب بازار کار شدند استفاده بهینه نمایند..
در اینجا لازم است از استاد گرامی مهندس شکری که باصبر و بردباری مرا درارایه این گزارش با صعه صدر راهنمایی و ارشاد نموده اند تشکر و قدردانی نمایم و نهایت سپاسگذاری را از ایشان به عمل آورم.
همچنین از پرسنل محترم و زحمتکش آقای قورچی زاده که واقعا با راهنمایی ها و با اطلاعات مفیدشان موجب دلگرمی و علاقه مندی من به یادگیری را فراهم آوردند کمال تشکر وامتنان را دارم.
3
فهرست مطالب
عنوان صفحه
مقدمه 1
تقدیر و تشکر 3
فصل اول؛تاریخچه
پیشینهمخابراتدرهرمزگان 7
نشان تجاری 7
نام و نوع اداره 9
موضوع اداره 9
فصل دوم؛آشنایی با مکان کارآموزی
قسمت های مختلف مخابرات 12
شرح وظایف واحد ها 13
نمودار سازمانی 14
فصل سوم؛گزارشفعالیت ها و تجربیات
سالن سوئیچ 16
آشنایی با سخت افزار سوئیچ 17
4
انواع کارت های سوئیچ18
سالن امتحان 22
آشنایی با چند واژه در مخابرات 25
شبکه کابل 26
اتاق PCM 27
اتاق تغذیه 28
گاز کنترل 32
فیبر نوری 33
فصل چهارم؛ارزیابی نگهداری و تعمیرات در بخش فنی مهندسی مخابرات
تعریف نت 37
انواع نت 37
فعالیت های نت 38
نت در قسمت سوئیچ 40
نت در قسمت سالن امتحان 41
نت در قسمت شبکه کابل و اتاق PCM 43
نت در قسمت اتاق تغذیه 43
ارزیابی دوره کارآموزی 45
یکی از مفاهیم سوال انگیزی که غالباً توسط محققین مطرح می شود، “کنترل بهینه قدرت” می باشد. کنترل قدرت یکی از فاکتورهای اساسی در سیستمهای سلولی CDMA می باشد که ارتباط مستقیمی و پایاپایی با ظرفیت و نگهداری سیستم دارد. با مطالعاتی که در مورد تکنیکهای تخصصی کنترل بهینه توان صورت گرفته، ملاحظه شده که دست یافتن به این امر بخصوص در محیطهای دارای تضعیف (fading inu) امری بسیار مشکل می باشد.
در این فصل ما به معرفی و بیان مفاهیم کنترل توان خواهیم پرداخت، همچنین به نقش آن در reverse- link, forward- link و تاثیرات کنترل توان در ارتباط با ظرفیت و نگهداری سیستم سلولی.
همچنین به آنالیز کانالهای مختلف رادیو برای اینکه طرح کنترل قدرت امکان ردیابی صحیح را به ما بدهد خواهیم پرداخت. سپس، تکنیکهای قابل قبول کنترل قدرت معرفی خواهد شد و معایب این روشها نیز بیان خواهد شد. یک تکنیک جدید کنترل قدرت بر مبنای برآوردهای مطرح خواهد شد و نقش آن در محیطهای با افت سریع (fast fading) بررسی خواهد شد.